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    BST9900-DR系列单晶硅微差压变送器-厂家

BST9900-DR  单晶硅微差压变送器

BST9900系列单晶硅微差压变送器的基本原理是、将一个空间用敏感元件(多用膜盒)分割成两个腔室,分别向两个腔室引入压力时,传感器在两方压力共同作用下产生位移(或位移的趋势),这个位移量和两个腔室压力差(差压)成正比,将这种位移转换成可以反映差压大小的标准信号输出 。

产品描述.jpg

单晶硅微差压变送器-厂家

 

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1、单晶硅微差压变送器中心传感器采用全球领先的、进口的复合多重微硅固态传感器,较之传统的金属电容压力/差压变送器精度、稳定性、抗干扰能力有大幅度的提高,最高可达±0.075%的铂金级精度;
2、OLED点阵显示器、视角广、画质均匀、工作温度宽(﹣40~﹢80℃);
3、单晶硅微差压变送器工作压力分为16MPa、25MPa和40MPa三档,单向过载压力最高到40MPa;
4、差压变送器可选封装静压传感器,可用于现场工作静压的测量和显示,也可应用于静压补偿,静压性能极佳,静压误差最优≤±0.05%/10MPa;
5、单晶硅微差压变送器采用全球领先的无传压损耗过载保护技术,单向过压最高达7MPa,即满量程的1166倍;
6、传感器内部集成高灵敏度温度传感器,变送器温性能极佳,最优≤±0.04%/10K;
7、全不锈钢316L硅油充灌焊接密封结构;
8、稳定可靠,长期漂移为±0.1%/3年,10年免维护;
9、最高100:1的可调节量程比。


单晶硅微差压变送器特点

 

 

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BST9900-DR系列智能微差压变送器由一体化智能传感器和外围电子线路部分组成,传感器部分包括:敏感元件、信号调理电路、专用数字处理芯片、温度传感器和特征化 EEPROM等组成;外围电子线路包括:显示电路、EMC处理电路等几部分组成。变送器能完成压力信号到4-20mADC的转换,并具有HART数字通讯功能。

      BST9900-DR系列属于差压变送器中的微差压压力变送器,他具有设计原理新颖、安装使用简便、安全防爆等特点。产品精度高、体积小、重量轻、调整方便、长期稳定性好、单向过载保护能力强、适用于恶劣场所使用。

 

 

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单晶硅微差压变送器尺寸

 

 

技术参数

测量介质

液体、气体或蒸汽

测量范围

量程代码

量程范围(KPa

测量范围(KPa

A1A2

0.11

-11

输出信号

二线制,420mADC HART PROFIBUS-PA

电 源

24VDC(正常工作电压范围1236VDC

防爆标志

隔爆型:ExdCT6,本安型:ExiaCT6

防护等级

IP67

量程比

1001

精度等级

0.075级、0.1

稳定性

0.075级:36个月误差为最大量程的±0.2%

0.1级:36个月误差为最大量程的±0.25%

 

 

 

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单晶硅微差压变送器防爆证书

 

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